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0A004003-InGaAs PIN 光电二极管

低 PDL(偏振相关损耗)
InGaAs PIN 光电二极管 0A004003 在 1.55 μm 时具有低 PDL(偏振相关损耗)、高分流电阻和极低噪声。



特点
- 低 PDL(偏振相关损耗)
- 低噪声、低暗电流
- 大感光面
- 感光面尺寸:φ1 mm

详细参数

受光面φ1.0 mm
像素数1
封装金属
封装类别TO-18
散热非冷却型
灵敏度波长范围0.9 μm 至 1.7 μm
最大灵敏度波长(典型值)1.55 μm
感光灵敏度(典型值)1.1 A/W
暗电流(最大值)5 nA
截止频率(典型值)35 MHz
结电容(典型值)90 pF
噪声等效功率(典型值)2×10-14 W/Hz1/2
测量条件典型值 Ta=25°C,感光灵敏度:λ=λp,暗电流:VR = 1 V,截止频率:VR = 1 V,RL = 50 Ω,-3 dB,结电容:VR = 1 V,f = 1 MHz,除非另有说明


光谱灵敏度特性


外形尺寸图(单位:mm)


0A004003-InGaAs PIN 光电二极管
低 PDL(偏振相关损耗)
InGaAs PIN 光电二极管 0A004003 在 1.55 μm 时具有低 PDL(偏振相关损耗)、高分流电阻和极低噪声。



特点
- 低 PDL(偏振相关损耗)
- 低噪声、低暗电流
- 大感光面
- 感光面尺寸:φ1 mm
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