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6A002001001-InGaAs 线阵图像传感器

非冷却型,单视频线(128 像素)近红外图像传感器(0.9 µm 至 1.7 µm)


6A002001001 是设计用于近红外多通道分光光度测定的 InGaAs 线阵图像传感器。
其由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成,包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器配置有 CMOS 晶体管阵列,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的各个像素。由于每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,因此在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。CMOS 芯片上的信号处理电路支持使用外部电压从两种可用类型中为您的用途选择理想的转换效率 (CE)。该产品比之前的产品更小,并且为非冷却型。以前的长波长类型需要 TE 制冷来减少暗电流。与之前的产品相比,该产品通过零偏压操作在未冷却的情况下实现更低的暗电流。



特点
- 单视频线
- 可从两种转换效率类型中选择 (CE=16 nV/e-, 160 nV/e-)
- 像素尺寸:50 µm × 250 µm
- 低暗电流
- 低功耗
- 驱动电压:3.3 V

详细参数

影像尺寸6.4 mm × 0.25 mm
像素尺寸50 μm × 250 μm
像素间距50 μm
有效像素数128
封装陶瓷
制冷非冷却型
行速率(最大值)13600 行/秒
灵敏度波长范围 900 nm 至 1700 nm
最大灵敏度波长(典型值)1550 nm
暗电流(最大值)3 pA
测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明


光谱灵敏度特性


外形尺寸图(单位:mm)


6A002001001-InGaAs 线阵图像传感器
非冷却型,单视频线(128 像素)近红外图像传感器(0.9 µm 至 1.7 µm)


6A002001001 是设计用于近红外多通道分光光度测定的 InGaAs 线阵图像传感器。
其由 InGaAs 光电二极管阵列和 CMOS 芯片组成,包含电荷放大器、偏移补偿电路、移位寄存器和时序发生电路。电荷放大器配置有 CMOS 晶体管阵列,并连接到 InGaAs 光电二极管阵列的各个像素。由于每个像素的信号都在电荷积分模式下读出,因此在近红外区域实现了高灵敏度和稳定操作。CMOS 芯片上的信号处理电路支持使用外部电压从两种可用类型中为您的用途选择理想的转换效率 (CE)。该产品比之前的产品更小,并且为非冷却型。以前的长波长类型需要 TE 制冷来减少暗电流。与之前的产品相比,该产品通过零偏压操作在未冷却的情况下实现更低的暗电流。



特点
- 单视频线
- 可从两种转换效率类型中选择 (CE=16 nV/e-, 160 nV/e-)
- 像素尺寸:50 µm × 250 µm
- 低暗电流
- 低功耗
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