PRODUCT
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32 像元 InGaAs 阵列
特点
-32 像元阵列
-设计用于简化测量
-较大的受光面尺寸
详细参数
| 像元数 | 32 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 灵敏度波长范围 | 0.9 μm 至 1.7 μm |
| 最大灵敏度波长(典型值) | 1.55 μm |
| 感光灵敏度(典型值) | 0.95 A/W |
| 暗电流(最大值) | 1.25 nA |
| 截止频率(典型值) | 60 MHz |
| 结电容(典型值) | 35 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C,除非另有说明 |
光谱灵敏度特性

外形尺寸图(单位:mm)


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