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1A004005-InGaAs APD
InGaAs APD 可大大降低暗电流
这款 InGaAs APD 通过使用新的器件结构和改进处理，大大减少了现有产品的暗电流。
1A004005 用于测距、微弱测光等。
特点
- 低暗电流
- 低电容
- 高灵敏度
详细参数
| 像素数 | 1 |
| 受光面 | φ0.2 mm |
| 封装 | 金属 |
| 封装类别 | TO-18 |
| 灵敏度波长范围 | 950 nm 至 1700 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 1550 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.8 A/W |
| 暗电流（最大值） | 50 nA |
| 截止频率（典型值） | 900 MHz |
| 结电容（典型值） | 2.0 pF |
| 击穿电压（典型值） | 65 V |
| 击穿电压温度系数（典型值） | 0.1 V/°C |
| 测量条件 | Ta = 25°C，感光灵敏度：λ = 1.55 μm，M = 1 |
光谱灵敏度特性
外形尺寸图（单位：mm）
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