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1B004001-硅光电二极管
高灵敏度，直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束
特点
- 以高灵敏度直接检测低能量（1 keV 或以上）电子束
- 高增益：300 倍
高检测效率：72%（入射电子能：1.5 keV）
- 较大的受光面尺寸：10 × 10 mm
- 受光面中心的孔径为 φ2.0 mm
- 薄陶瓷封装
- 使用由较少磁性材料制成的配线板
注意
本产品的芯片未密封且会外露。芯片上的电极等部件不受外壳或窗口的保护，因此与普通产品相比，在操作过程中需要特别小心。
详细参数
| 受光面 | 10 × 10 mm |
| 像元数 | 1 |
| 封装 | 陶瓷 |
| 封装类别 | 未密封 |
| 入射电子能范围（典型值） | 1 至 30 keV |
| 电子倍增系数（典型值） | 300 |
| 反向电压（最大值） | 20 V |
| 暗电流（最大值） | 60000 pA |
| 截止频率（典型值） | 2.5 MHz |
| 结电容（典型值） | 450 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，VR = 5V |
外形尺寸图（单位：mm）
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