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2B001002003-硅 APD

适用于 LiDAR(800 nm 波段)的高速紧凑型硅 APD,具有低偏压操作
这是一款紧凑的表面贴装型硅 APD,可在 800 nm 波段实现高灵敏度。该产品适用于广泛用于从消费电子产品到工业用途的光波距离计的激光监测。


特点
- 小封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm
- 最大灵敏度波长:800 nm (M = 100)
- 低偏压操作:最大击穿电压 = 180 V
- 高速响应:截止频率 = 典型值为 1 GHz(λ = 800 nm,M = 100)
- 降低击穿电压变化:160 ± 20 V

详细参数

类型

用于 LiDAR(800 nm 波段,低偏压操作)

受光面φ0.5 mm
封装塑料
封装类别表面贴装型
最大灵敏度波长(典型值)800 nm
灵敏度波长范围400 至 1000 nm
感光灵敏度(典型值)0.52 A/W
暗电流(最大值)0.5 nA
截止频率(典型值)1000 MHz
结电容(典型值)1.6 pF
击穿电压(典型值)160 V
击穿电压温度系数(典型值)0.63 V/°C
增益率(典型值)100
测量条件典型值 Ta = 25°C,除非另有说明,

感光灵敏度:λ = 800 nm,M = 1


光谱灵敏度特性


外形尺寸图(单位:mm)


2B001002003-硅 APD
适用于 LiDAR(800 nm 波段)的高速紧凑型硅 APD,具有低偏压操作
这是一款紧凑的表面贴装型硅 APD,可在 800 nm 波段实现高灵敏度。该产品适用于广泛用于从消费电子产品到工业用途的光波距离计的激光监测。


特点
- 小封装:3.1 × 1.8 × 1.0t mm
- 最大灵敏度波长:800 nm (M = 100)
- 低偏压操作:最大击穿电压 = 180 V
- 高速响应:截止频率 = 典型值为 1 GHz(λ = 800 nm,M = 100)
- 降低击穿电压变化:160 ± 20 V
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