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9F001-高分辨率 X 射线成像系统
高分辨率 X 射线成像系统将可视化入射 X 射线束的成像单元与磷光体和照相机结合在一起。只需选择 X 射线成像系统 (9F001)主体、荧光屏*和光学系统*，即可轻松获取 X 射线图像。您可以从产品阵容中自由选择相机，并根据您的应用将光学系统和相机组合起来构建系统。此外，光学设计考虑了设备的耐用性和可维护性，使其适合使用同步辐射设施中使用的强 X 射线进行成像。
特点
1. 采用 X 射线防护设计，减少相机损坏
2. 根据需要轻松更换相机
3. 使用控制器进行焦点调整
4. 由于连接结构，可以更换部件
5. 高耐久性单晶荧光屏（选件）
用途
1. 同步加速器成像
2. X 射线束校准
3. X 射线 CT
4. X 射线显微镜
5. X 射线形貌
6. XAFS
成像示例
SiC 缺陷观察
测试条件
| 方法 | X 射线形貌 |
| 相机 | ScitestarⓇ-Flash4.0 V3 |
| 样品 | SiC 单晶基板（晶体脱位） |
| X 射线能量 | 9 keV |
| 像素尺寸 | 0.65 μm |
| 放大率 | × 10 |
| 曝光时间 | 10 s |
| 目标图像中的像素数 | 1970 像素 × 1970 像素 （1.28 毫米 × 1.28 毫米） |
| 荧光屏 | LuAG 10 μm |
数据来源：Innovation Center for Semiconductor and Digital Future, Mie University, Yongzhao YAO, Ph.D
木材内部观察
测试条件
| 方法 | X 射线 CT |
| 相机 | Scitestar-Fusion BT |
| 样品 | 牙签 |
| 曝光时间 | 10 ms/投影 |
| 投影数量 | 1800 |
| X 射线能量 | 15 keV |
| 像素尺寸 | 0.65 μm |
数据来源：Photon Science Innovation Center
3D 图像重建后的剖面图
高耐久性单晶荧光屏
可选择作为选件的直接接合型荧光屏是具有极高 X 射线耐久性的单晶荧光屏。它抑制 X 射线对荧光屏的破坏，并实现长期稳定的成像和测量。
同步辐射白色 X 射线
即使长时间暴露在白色 X 射线下（这常会破坏传统磷光体），该产品仍不会受损。
测量条件
| 光束线 | SPring-8 BL28B2 |
| X 射线能量 | 白色 |
| 衰减器 | 空气（9 m），铝（0.034 mm），窗口（光束线侧 1 mm 厚 + 探测器侧 0.5 mm 厚） |
| 光束尺寸 | 3 mm × 3 mm |
| 探测器 | 粘合剂接合型：AA40 (f = 50 mm) + Scitestar-Flash2.8 (f = 35 mm) 直接接合类型：AA40 (f = 50 mm) + Scitestar-Flash4.0 (f = 50 mm) |
| 像素分辨率 | 粘合剂接合型：5.1 μm/像素，直接接合型：6.5 μm/像素 |
| 荧光屏 | LuAG（厚度：粘合剂接合型约为 20 μm，直接接合型约为 20 μm） |
数据来源：JASRI (Japan Synchrotron Radiation Research Institute) Industrial application Division, Dr. Kentaro Kajiwara
通量密度 4.7 ×1013 光子/秒/平方毫米
即使长时间暴露在高通量密度 X 射线下（这常会破坏传统磷光体），该产品仍不会受损。
测量条件
| 光束线 | SPring-8 BL47XU |
| X 射线能量 | 8 KeV |
| 衰减器 | 无 |
| 通量密度 | 4.7 ×1013 光子/秒/平方毫米 |
| 光束尺寸 | 350 μm × 350 μm |
| 探测器 | AA50（物镜 10×/NA 0.3）+ 4F004 |
| 像素分辨率 | 0.21 μm/像素 |
| 荧光屏 | LuAG（厚度：粘合剂接合型为 22.3 μm，直接接合型为 21.4 μm） |
数据来源：JASRI (Japan Synchrotron Radiation Research Institute), Dr. Kentaro Uesugi
尺寸图
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