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0A003001006-带放大器的光电二极管阵列
结合了信号处理 IC 的光电二极管阵列，适用于 X 射线检测
这是一款带放大器并且在受光面贴有磷光片的光电二极管阵列，用于 X 射线检测。与前代产品相比，X 射线耐受性有所提高。信号处理电路芯片采用 CMOS 工艺，并集成时序发生电路、移位寄存器、电荷放大器阵列、钳位电路和保持电路，通过将多个阵列排列成一排来配置外部电路。
特点
-数据率：最大 1 MHz
-大像元间距：0.8 mm 间距 × 64 通道
-5 V 电源供电
-使用电荷放大器阵列进行同步积分
-零偏压光电二极管操作降低暗电流
-集成钳位电路可实现低噪声和宽动态范围
-集成时序发生电路允许在两个不同的脉冲时序下操作
-可检测能量范围：30 k 至 100 keV
详细参数
| 影像尺寸 | 51.2 x 0.8 mm |
| 有效像素数 | 64 像素 |
| 像素尺寸 | 0.7 x 0.8 mm |
| 像素间距 | 0.8 mm |
| 电源电压 | 5 V |
| 闪烁体 | 磷光片 |
| 最大灵敏度波长 | 720 nm |
| 最大行速率 | 14678 行/秒 |
| 电荷放大器反馈电容 | 0.5 pF |
| 测量条件 | 典型值 Ta = 25°C，除非另有说明，最大灵敏度波长：无磷光片 |
| 备注 | 用于 X 射线 |
外形尺寸图（单位：mm）
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