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0A002001032-硅光电二极管阵列
适用于非破坏性 X 射线检查的背照式光电二极管阵列，适合平铺结构
0A002001032是一款 8 × 8 像元硅光电二极管阵列，具有背照式结构，用于 X 射线非破坏性检测。背照式光电二极管阵列易于处理，因为入射表面没有焊线或受光面。您可以安装闪烁体，而无需担心损坏配线。此外，产品周围设计有最小的死区，以便并排排列多个产品。通道之间没有串扰。
特点
-二维（8 × 8 像元）阵列
-光谱响应范围：400 至 1100 nm
-封装尺寸：24 (W) × 24 (H) mm
-像元间距：3.0 mm × 64 像元
-易于与闪烁体耦合
因为受光面没有配线，并且与闪烁体的光学耦合效率可以最大化，因此适用于非破坏性 X 射线检查设备
详细参数
| 像元尺寸（每个像元） | 2.5 × 2.5 mm |
| 像元数 | 64 |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 未密封 |
| 闪烁体类型 | 无 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 反向电压（最大值） | 10 V |
| 灵敏度波长范围 | 400 至 1100 nm |
| 最大灵敏度波长（典型值） | 960 nm |
| 感光灵敏度（典型值） | 0.61 A/W |
| 暗电流（最大值） | 300 pA |
| 上升时间（典型值） | 15 μs |
| 结电容（典型值） | 60 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元，感光灵敏度：λ = 920 nm |
| 备注 | 这些产品也可作为闪烁体安装产品（定制产品）提供，如 CsI (Tl)、磷光片、GOS 和 CWO。请就近咨询中科珩星销售办事处。 |
外形尺寸图（单位：mm）
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