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0A002001014-硅光电二极管阵列
适用于 X 射线非破坏性检测的背照式光电二极管阵列，细长板型0A002001014是一款背照式 16 像元光电二极管阵列，专为无损 X 射线检查而设计。与前代产品其他相比，它具有更高的灵敏度均匀性和更小的光电二极管像元变化。背照式光电二极管阵列也易于处理，并且易于连接到闪烁体，而不必担心导线损坏，因为入射光侧没有焊线和受光面。0A002001014-硅光电二极管阵列系列兼容双能量成像，因为它可以与我们的 S11212 系列 [board size: 25.4(W) × 20.0 (H) mm] 结合使用，以配置上下两层结构，能够同时检测高能和低能 X 射线。 特点 -像元尺寸：1.175 (W) × 2.0 (H) mm/单像元 -像元间距：1.575 mm（× 16 像素） -安装基板尺寸：25.4 (W) × 10.2 (H) mm -通过多个阵列实现狭长形状 -支持双能量成像（用于上下两层组合时）
详细参数
| 像元尺寸（每个像元） | 1.175 × 2.0 mm |
| 像元数 | 16 |
| 封装 | 玻璃环氧树脂 |
| 封装类别 | 带闪烁体 |
| 闪烁体类型 | GOS 陶瓷 |
| 制冷 | 非冷却型 |
| 暗电流（最大值） | 30 pA |
| 上升时间（典型值） | 6.5 μs |
| 结电容（典型值） | 40 pF |
| 测量条件 | Ta = 25°C，每个像元 |
外形尺寸图（单位：mm）
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